集成电路与微电子领域的核心公式、算法、模型与理论，本次列表（编号901-950）将深入先进封装与互连、新兴存储器器件物理、EDA中的机器学习、硬件安全与信任、以及超低功耗与传感器接口等关键前沿方向。编号类型领域公式/算法/模型名称公式/算法/模型逐步推理思考的数学方程式参数列表和常量/变量/向量/张量/矩阵/几何/集合/拓扑列表及数值/数值/概率/统计/分布关联知识901公式/模型先进封装/互连混合键合界面的比接触电阻与隧穿模型铜-铜混合键合后，界面存在纳米级未键合区域或氧化层，电流通过隧穿传导。比接触电阻 ρc​=MAk​​exp(ℏ4πd​2m∗ϕ​)，其中A_k为有效面积，M为传导通道数，d为势垒厚度，φ为势垒高度，m*为有效质量。实验值可低至 10−9Ω⋅cm2。优化需超高表面清洁度与平坦度。d: 界面势垒厚度（单位：纳米，nm），理想1 nm。φ: 势垒高度（单位：eV），