HN6922C 是华诺芯HIN推出的一款 AC-DC 原边反馈PSR控制芯片专门设计用来驱动外部 SiC碳化硅MOSFET 功率管。输出具有恒压CV、恒流CC两种模式适用于 100W 以内的充电器、适配器。它和常见的原边反馈芯片一样不需要光耦和 TL431输出电压电流全靠初级侧检测控制外围电路简单、成本低。而且它本身采用小巧的 SOT23-6 封装是控制器外挂 SiC 功率管的方案功率可以做得更大散热也更灵活。为什么强调驱动 SiC普通硅 MOS 和 SiC MOS 的驱动特性差别很大随便拿个驱动芯片接上去容易出问题。HN6922C 专为 SiC 做了优化18V 驱动钳位VCC 低于 18V 时驱动电压跟随 VCC不会过压击穿 SiC 的栅极恒流源驱动技术米勒平台期间用较小的 source 电流30mA慢慢推开开关管压慢 dv/dt有效减小 EMI过了米勒平台再加大到 100mA 快速开通关断 sink 电流达 400mA关断干脆谐振谷底开启进一步降低开关损耗、改善 EMI所以用 SiC 管做高频高效率电源这颗芯片把最难搞的驱动和 EMI 问题都处理好了。引脚定义SOT23-6 封装引脚---名称---功能1---GND---芯片地2--GATE---驱动输出接外部 SiC MOS 栅极3---CS---电流采样脚接采样电阻4---FB---输出电压反馈脚接辅助绕组分压电阻5---NC---悬空6---VCC---芯片供电特别说明GATE 到 SiC 栅极之间不要加驱动电阻、泄放电阻直接连接即可必要时最多串一个 10Ω 左右的小电阻。主要特点推荐最高工作频率 130kHzVCC 工作范围 13.2~34V启动电流 5μA待机功耗低至 75mW满足能效六级PWMPFM 混合控制负载下降时频率和峰值电流一起降全负载段高效率且最大限度避免音频噪声恒压恒流精度 ±5%内置前沿消隐、频率抖动、逐周期限流内置线电压补偿90~264VAC 全电压范围恒流精度一致外部可编程线损Cable补偿保护功能一览VCC 过压保护34V 触发自动重启输出过压保护FB 超过基准 1.25 倍连续 6 个周期触发输出欠压保护FB 低于基准 50%/40%64ms 触发次边肖特基短路保护输出整流二极管短路或变压器饱和时CS 峰值超 1.2V 连续 7 个周期触发保护FB/CS 引脚开短路保护含 CS 短路专判逻辑逐周期限流 350ns 前沿消隐过温保护150℃ 关断120℃ 恢复典型应用电路外围结构非常简单初级AC 输入 → 整流桥 → 滤波电容 → 变压器初级 → 外部 SiC MOS 漏极GATE 直接驱动 SiC 栅极CS 串采样电阻到地FB 接辅助绕组分压电阻VCC 由启动电阻供电正常工作时辅助绕组供电次级变压器次级 → 肖特基二极管 → 输出电容典型应用48W~120W 的充电器、适配器方案。SiC 管耐压高常用 650V/800V、导通损耗低、开关速度快做 65W、100W PD 快充这类高密度电源非常合适。