内容总结国巨 CC0603KRX7R9BB1040603 / X7R / 50V / 100nF / ±10%规格书 4-16 页解读容值范围、容差、D.F.、I.R.、温度特性、焊接建议。规格书4-10页内容是该系列X7R贴片多层陶瓷电容不同封装尺寸对应的容值范围与额定电压关系如下0201封装容值范围100pF~100nF额定电压范围6.3V~50V。 具体对应关系全电压段6.3V、10V、16V、25V、50V均可支持100pF~68nF仅6.3V、10V可支持100nF16V及以上额定电压不支持该容值。0402封装容值范围100pF~2.2µF额定电压范围6.3V~100V。 具体对应关系全电压段6.3V~100V均可支持100pF~100nF容值更高的220nF~1µF可支持6.3V~50V仅2.2µF对应该封装特定厚度规格。0603封装容值范围100pF~4.7µF额定电压范围6.3V~250V。 具体对应关系6.3V~50V可支持100pF~2.2µF最高可支持4.7µF100V~250V可支持100pF~100nF。0805封装容值范围100pF~10µF额定电压范围6.3V~250V。 具体对应关系6.3V~50V可支持100pF~4.7µF最高可支持10µF100V~250V可支持100pF~100nF。1206封装容值范围220pF~22µF额定电压范围6.3V~250V。 具体对应关系6.3V~50V可支持220pF~10µF最高可支持22µF100V~250V可支持220pF~100nF。1210封装容值范围2.2nF~47µF额定电压范围6.3V~250V。 具体对应关系6.3V~50V可支持2.2nF~22µF最高可支持47µF100V~250V可支持2.2nF~1µF。1812封装容值范围4.7nF~1µF额定电压范围50V~250V。 具体对应关系50V可支持4.7nF~1µF100V~250V可支持4.7nF~330nF。2220封装仅支持50V额定电压容值范围最大到470nF。11页内容下面是编带规格手动数料是可以直接测量长度可以得出元件数量物料盘的尺寸14页 电气特性X7R 介电电容器镍锡端电极NiSn 端接除非另有规定所有测试和测量均应在标准大气条件下进行测试条件按 IEC 60068-1 第 5.3 条的规定温度15℃ 至 35℃相对湿度25% 至 75%气压86 kPa 至 106 kPa在进行测量之前电容器应在测量温度下存放足够长的时间以使整个电容器达到该温度。测试结束时规定的恢复时间通常足以达到这一目的。参数速查描述数值容值范围100 pF 至 47 µF容值容差±5%, ±10%, ±20%施加额定电压DC1 分钟后的绝缘电阻Rins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500/100/50* 秒取两者中较小值电容随温度变化的最大变化量温度特性/温度系数±15%工作温度范围–55 °C 至 125 °C耗散因数D.F.— X7R电压/条件容值范围对应封装耗散因数D.F.≤ 6.3V100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 2.2µF / 6.8nF 至 1µF≤ 5%≤ 6.3V270nF 至 1µF≤ 7%≤ 6.3V15nF 至 100nF / 220nF 至 470nF / 2.2µF / 2.2µF 至 4.7µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF / 4.7µF 至 47µF≤ 10%≤ 6.3V1µF≤ 12.5%10V100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 2.2µF / 6.8nF 至 1µF≤ 5%10V270nF 至 1µF≤ 7%10V100nF / 220nF 至 470nF / 2.2µF 至 4.7µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF / 4.7µF 至 47µF≤ 10%10V1µF≤ 12.5%16V100pF 至 1.2nF / 100pF 至 22nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 470nF / 220pF 至 1µF / 2.2nF 至 1µF / 6.8nF 至 1µF≤ 3.5%16V1.5nF 至 10nF / 27nF 至 100nF / 680nF 至 2.2µF / 2.2µF / 2.2µF≤ 5%16V270nF 至 1µF≤ 7%16V220nF / 2.2µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF / 4.7µF 至 22µF≤ 10%25V100pF 至 10nF / 100pF 至 39nF / 100pF 至 180nF / 220pF 至 180nF / 2.2nF 至 1µF / 6.8nF 至 1µF≤ 2.5%25V100pF 至 470pF / 12nF 至 47nF / 47nF 至 220nF / 220nF 至 470nF / 220nF 至 1µF≤ 3.5%25V560pF 至 10nF / 56nF 至 100nF / 560nF 至 2.2µF / 2.2µF / 2.2µF≤ 5%25V270nF 至 1µF≤ 7%25V120nF 至 220nF / 4.7µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF≤ 10%50V100pF 至 10nF / 100pF 至 39nF / 100pF 至 180nF / 220pF 至 180nF / 2.2nF 至 1µF / 6.8nF 至 1µF / 470nF 至 1µF≤ 2.5%50V100pF 至 470pF / 12nF 至 33nF / 47nF 至 220nF / 220nF 至 470nF / 220nF 至 1µF≤ 3.5%50V560pF 至 1nF / 560nF 至 680nF≤ 5%50V47nF 至 82nF≤ 7%50V100nF / 470nF 至 1µF / 1µF 至 2.2µF / 2.2µF 至 4.7µF / 2.2µF 至 10µF≤ 10%100V100pF 至 10nF / 100pF 至 10nF / 100pF 至 470nF / 220pF 至 470nF / 2.2nF 至 680nF / 6.8nF 至 1µF / 560nF 至 820nF≤ 2.5%100V1µF / 1µF 至 2.2µF≤ 3.5%100V12nF 至 100nF / 560nF 至 1µF / 1µF 至 2.2µF≤ 5%100V4.7µF≤ 10%200/250V220pF 至 22nF / 100pF 至 100nF / 220pF 至 220nF / 2.2nF 至 220nF / 6.8nF 至 470nF≤ 2.5%这部分总结了之前的表格并且引入了一个新的名词Dissipation Factor引用文库笔记请解释电容器DF值Dissipation Factor的物理意义并给出其计算公式。⚡️电容器DF值是什么一文讲透⚡️物理意义超简单DF值Dissipation Factor就是电容器的“损耗指数”衡量它有多“费电”。想象一下理想电容器是完美储能罐但现实总有损耗DF值就是用来看偏离理想状态有多远的数值越低发热越少性能越棒计算公式也不难D.F. tanδ ESR / Xc (2πfC) × ESR其中ESR是等效串联电阻Xc是容抗f是频率C是电容值。对于电解电容常在120Hz下测量公式简化为DF ESR × 2πfC关键点DF就是损耗能量与储存能量的比值直接反映有功功率和无功功率的比例。记住它受温度、频率、容量和耐压等级影响所以选型时一定要留个心眼一句话总结DF值越小电容越“省电”越靠谱搞懂它选电容不踩坑~引用https://zhuanlan.zhihu.com/p/709055211电容器的损耗DF值在直流电路中的作用和影响电容器的损耗DF值Dissipation Factor也称为损耗因数是衡量电容器在交流电路中能量损耗的一个参数。尽管DF值主要用于交流电路的分析但它在直流电路中也有一定的作用和影响尤其是在涉及电容器充放电过程或含有开关元件的直流电路中。以下是DF值在直流电路中的作用和影响充放电效率在直流电路中电容器需要周期性地充放电。DF值较高的电容器在充放电过程中会有较大的能量损耗影响电路的效率。热效应由于能量损耗电容器在充放电时会产生热量。DF值较高的电容器在相同条件下会产生更多的热量可能导致电容器或周围组件的温度升高。寿命影响电容器的损耗会导致额外的热量产生长期累积可能影响电容器的寿命和可靠性。纹波电流在电源电路中电容器需要过滤输入的纹波电流。DF值较高的电容器可能无法有效过滤纹波导致输出电压不稳定。自谐振频率所有电容器都有一定的自谐振频率。在直流电路中如果电容器的充放电频率接近其自谐振频率DF值的影响会更加显著。瞬态响应在含有快速切换或瞬态负载变化的直流电路中DF值会影响电容器对瞬态变化的响应速度。噪声和电磁干扰DF值较高的电容器可能在充放电过程中产生更多的电磁干扰影响电路的信号完整性。能量存储在需要能量存储和快速释放的应用中如脉冲负载DF值较低的电容器更为理想因为它们的能量损耗较小。稳定性在某些直流电路中电容器的DF值可能影响电路的稳定性。例如在反馈回路中电容器的损耗可能会引入额外的相位偏移。长期稳定性在长时间运行的直流电路中DF值较高的电容器可能会因为持续的热损耗而导致性能逐渐下降。尽管DF值主要用于描述电容器在交流电路中的特性但在设计直流电路时也应考虑电容器的DF值以确保电路的性能、效率和可靠性。选择DF值较低的电容器通常有助于减少能量损耗和热效应提高电路的整体性能。MLCC X7R 规格补充绝缘电阻I.R.— X7R电压容值范围对应封装 0201→2220I.R.≤ 6.3V100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 470nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 4.7µF / 6.8nF 至 1µFRins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F≤ 6.3V15nF 至 100nF / 560nF 至 2.2µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 47µF / 10µF 至 47µFRins × Cr ≥ 100Ω.F≤ 6.3V220nF 至 1µF / 4.7µFRins × Cr ≥ 50Ω.F10V100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 470nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 4.7µF / 6.8nF 至 1µFRins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F10V100nF / 560nF 至 2.2µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 47µF / 10µF 至 47µFRins × Cr ≥ 100Ω.F10V220nF 至 1µFRins × Cr ≥ 50Ω.F16V100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 470nF / 100pF 至 2.2µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 4.7µF / 6.8nF 至 1µFRins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F16V560nF 至 1µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 22µF / 10µF 至 22µFRins × Cr ≥ 100Ω.F16V220nF / 2.2µFRins × Cr ≥ 50Ω.F25V100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 1µF / 220pF 至 2.2µF / 2.2nF 至 2.2µF / 6.8nF 至 1µFRins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F25V270nF 至 1µF / 2.2µF 至 4.7µF / 4.7µF 至 10µF / 4.7µF 至 10µFRins × Cr ≥ 100Ω.F25V220nFRins × Cr ≥ 50Ω.F50V100pF 至 1nF / 100pF 至 82nF / 100pF 至 220nF / 100pF 至 1µF / 220pF 至 100nF / 2.2nF 至 1µF / 6.8nF 至 330nF / 470nFRins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F50V100nF / 270nF 至 1µF / 2.2µF / 120nF 至 4.7µF / 2.2µF 至 10µF / 470nF 至 1µF / 1µFRins × Cr ≥ 100Ω.F100V100pF 至 10nF / 100pF 至 100nF / 100pF 至 1µF / 220pF 至 100nF / 2.2nF 至 56nF / 6.8nF 至 330nFRins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F100V120nF 至 2.2µF / 68nF 至 4.7µF / 470nF 至 1µFRins × Cr ≥ 100Ω.F200/250V220pF 至 22nF / 100pF 至 100nF / 220pF 至 22nF / 2.2nF 至 33nF / 6.8nF 至 120nFRins ≥ 10 GΩ 或 Rins × Cr ≥ 500Ω.F200/250V27nF 至 220nF / 39nF 至 220nF / 150nF 至 470nFRins × Cr ≥ 100Ω.F焊接建议焊接方式≤ 0402060308051206≥ 1210回流焊仅回流焊 1.0 µF 2.2 µF 4.7 µF仅回流焊回流焊/波峰焊≤ 1.0 µF≤ 2.2 µF≤ 4.7 µF---回流焊与波峰焊两种软钎焊工艺区别在焊料形态和给料方式。回流焊Reflow焊料是焊膏。焊膏经钢网印刷或点涂到焊盘贴片元件贴装后整板过回流炉焊膏受热熔化、润湿焊盘冷却后成焊点。热量从整板传入。主要焊贴片SMD元件。峰值温度无铅 235℃~250℃有铅 210℃~230℃。【链接焊膏】波峰焊Wave焊料是熔融液态锡。插件THT元件先插装板子经助焊剂、预热后从锡炉泵起的锡波上划过锡波接触焊盘完成焊接。热量集中在接触面。主要焊插件元件也用于贴片元件的二次补焊。锡炉温度250℃~265℃。【链接助焊剂】区别对照维度回流焊波峰焊焊料形态焊膏熔融液态锡给料方式钢网印刷 / 点涂锡炉泵起锡波受热方式整板加热局部接触适配元件贴片 SMD插件 THT典型流程印膏 → 贴片 → 回流炉 → 冷却插装 → 助焊剂 → 预热 → 过锡波 → 冷却温度峰值 235℃~250℃无铅锡炉 250℃~265℃焊点形成焊膏熔化润湿锡波浸润