测量ASDM40R的基本参数重新测试小型封装的MOS管高频半桥ASDM40N40E测试ASDM40R065半桥电路同步开关电源模块JD6638ASDM40R065NE 40V N-Channel Power MOSFETAD\Test\2026\October\TestASDM40R06.SchDoc01【ASDM40R065基本参数】一、测试背景这款小封装的MOS管它的型号为ASDM40R 它的耐压为40伏导通电阻在5.8毫欧姆。 下面我们设计一个电路板初步测量它这两项基本参数 看在实际应用过程中它究竟实际参数是多少二、测试电路设计一个简单的测试电路板 将MOS管的三个管脚分别通过三个接口引出 制作测试电路板 使用的是一分钟制板方法 一分钟之后得到电路板。焊接电路板 使用高温水蒸气进行清洗。 下面我们进行测试。接下来我们首先测量一下MOS管的耐压 使用晶体管耐压仪通过探针引至MOS管 漏极和源极此时它的栅极通过一个10千欧姆接地 我们可以看到晶体管的耐压大概在50伏左右 不过现在测量仪好像内部的电池不足 我们之后通过充电之后再进行确认测量MOS管的耐压。 接下来我们测量MOS管的导通电阻 首先我们给它的栅极施加5伏驱动电压 使用DH1766提供两安的导通电流。 测量此时源极和栅极之间的管压降 管压降为19.885毫伏对应的导通电阻约为10毫欧姆 提高栅极的驱动电压 将驱动电压提高到10伏。 仍然提供两安的导通电流。 此时对应的源极和栅极管压降为16.4毫伏 对应的导通电阻为8.2毫欧姆。※总结 ※本文实际测量了MOS管ASDM40R对应的基本参数 它的耐压超过40伏 在两安培下测量的导通电阻约为8.2毫欧姆。■ 相关文献链接:重新测试小型封装的MOS管高频半桥ASDM40N40E测试ASDM40R065半桥电路同步开关电源模块JD6638ASDM40R065NE 40V N-Channel Power MOSFET