微处理器工艺的数学物理——覆盖 LOD 效应、RDF、1/f 噪声、体效应、背偏效应、热载流子寿命、NBTI AC 模型、自热效应、功耗模型、电压调节器效率、片上互连传输线、电迁移 Blech 长度、低 k 机械强度、CMP 速率、光刻胶对比度、EUV 掩模缺陷修复、ALD 保形性、铜电镀填充、TSV 应力迁移、晶圆键合空洞、微流道两相流、TIM 热导率、片上传感器校准、PMU 多路复用、内存控制器调度、缓存替换硬件、分支预测感知器、ROB 优化、TLB miss 处理、电源门控、时钟门控、AVFS 反馈、NoC 拥塞控制、硬件加速器数据流、稀疏矩阵加速、FMA 延迟、TRNG 熵源、IOMMU ATS/PRI、TCP/IP 卸载、TLS 握手、SQL 加速等编号类型领域问题详细的数学分析（几何／拓扑／数值分析／代数分析／图论/集合论／优化理论／数理／电-热-光-力-声-振动／其他）参数列表及每个参数的数学表达式及每个参数的数值范围及边界条件及测量方法关联知识1308​工艺·物理LOD（Length of Diffusion）效应的应力叠加模型