描述ME2170是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成的CMOS升压型DC/DC LED驱动。由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。另外可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻(RSENSE)来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE)设定为107mV因此可减少在RSENSE端产生的损耗。ME2170外围的输出电容可使用陶瓷电容器。并且采用了SOP8封装散热性好可适用于高密度安装高精度高效率的应用。特点可自由设置恒流大小如当设定RSENSE143mΩ时恒流值是750mA。输入范围2.5~6V带载输出2串(≤9W)LED, 3串(≤9W)LED设置VOUT12V时推荐Vin不低于3.1V工作频率1.0MHz基准电压1.25V消耗电流低: 静止时60 µA (典型值)软启动时间: 2 ms典型值UVLO (欠压锁定)功能VDD2 .3V外接元器件:电感器、二极管、电容器、电阻应用场合2串(≤9W)LED灯3串(≤9W)LED灯封装形式8-pin SOP8典型应用图选型指南产品引脚图脚位功能说明芯片功能示意图绝对最大额定值电气参数注意事项:1. VOUT(S)表示输出电压值一般表示的是输出的平均电压值。.2. VOUT(S)可以通过R1R2电阻值来设定想要的输出电压值。3. VFB(S)是反馈电压值。封装信息●封装类型: SOP8